HM5853 Todos los transistores

 

HM5853 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM5853

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 22 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: DFN2X3-8L

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HM5853 datasheet

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HM5853

5853 Power MOSFET and Schottky Diode General Description The 5853 uses advanced trench technology to provide MOSFET excellent RDSON and low gate charge. Featuring a MOSFET V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX and Schottky Diode, Independent Pin out to each Device to 79m @-4.5V -22V -3A Ease Circuit Design. 110m @-2.5V SHOTTKY DIODE Features VR MAX VF TYP IF MAX Lea

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