HM5853 Todos los transistores

 

HM5853 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM5853
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 22 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN2X3-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

HM5853 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  cn hmsemi
 hm5853.pdf pdf_icon

HM5853

5853 Power MOSFET and Schottky Diode General Description The 5853 uses advanced trench technology to provide MOSFET excellent RDSON and low gate charge. Featuring a MOSFET V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX and Schottky Diode, Independent Pin out to each Device to 79m@-4.5V -22V -3A Ease Circuit Design. 110m@-2.5V SHOTTKY DIODE Features VR MAX VF TYP IF MAX Lea

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History: WM02N08L | CP650

 

 
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