Справочник MOSFET. HM5853

 

HM5853 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM5853
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 22 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: DFN2X3-8L
 

 Аналог (замена) для HM5853

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5853 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  cn hmsemi
 hm5853.pdf pdf_icon

HM5853

5853 Power MOSFET and Schottky Diode General Description The 5853 uses advanced trench technology to provide MOSFET excellent RDSON and low gate charge. Featuring a MOSFET V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX and Schottky Diode, Independent Pin out to each Device to 79m@-4.5V -22V -3A Ease Circuit Design. 110m@-2.5V SHOTTKY DIODE Features VR MAX VF TYP IF MAX Lea

Другие MOSFET... HM50P02K , HM50P03 , HM50P03D , HM50P03K , HM50P06 , HM50P06K , HM530 , HM55N03D , AON7506 , HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , HM5N20I , HM5N20R , HM5N30K , HM5N30PR , HM5N30R .

History: FQN1N50CTA | CP650 | AM8N25-550D | AM2373P | VS3625GPMC | VBA3695 | MDV1595SURH

 

 
Back to Top

 


 
.