HM5853. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM5853

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 22 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: DFN2X3-8L

Аналог (замена) для HM5853

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5853 даташит

 ..1. Size:386K  cn hmsemi
 hm5853.pdf pdf_icon

HM5853

5853 Power MOSFET and Schottky Diode General Description The 5853 uses advanced trench technology to provide MOSFET excellent RDSON and low gate charge. Featuring a MOSFET V(BR)DSS RDS(ON) TYP ID MAX and Schottky Diode, Independent Pin out to each Device to 79m @-4.5V -22V -3A Ease Circuit Design. 110m @-2.5V SHOTTKY DIODE Features VR MAX VF TYP IF MAX Lea

Другие IGBT... HM50P02K, HM50P03, HM50P03D, HM50P03K, HM50P06, HM50P06K, HM530, HM55N03D, IRFB3607, HM5N06AR, HM5N06PR, HM5N06R, HM5N20I, HM5N20R, HM5N30K, HM5N30PR, HM5N30R