HM5N20R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM5N20R
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 200 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 12 nC
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
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HM5N20R Datasheet (PDF)
hm5n20r.pdf
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HM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 200V,ID = A Schematic diagram RDS(ON)
hm5n20i.pdf
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N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 200V,ID =5A Schematic diagram RDS(ON)
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