Справочник MOSFET. HM5N20R

 

HM5N20R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM5N20R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для HM5N20R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N20R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1153K  cn hmsemi
 hm5n20r.pdf pdf_icon

HM5N20R

HM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 200V,ID = A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:440K  cn hmsemi
 hm5n20i.pdf pdf_icon

HM5N20R

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 200V,ID =5A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... HM50P06K , HM530 , HM55N03D , HM5853 , HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , HM5N20I , IRFP250 , HM5N30K , HM5N30PR , HM5N30R , HM5N50I , HM5N50K , HM5N60 , HM5N60F , HM5N60I .

History: DH150N12 | LN2306LT1G | HM16N60F | AM20P03-60I | BSC026NE2LS5 | APT20M38SVFRG

 

 
Back to Top

 


 
.