HM5N20R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM5N20R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для HM5N20R
HM5N20R Datasheet (PDF)
hm5n20r.pdf

HM N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. General Features S VDS = 200V,ID = A Schematic diagram RDS(ON)
hm5n20i.pdf

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS = 200V,ID =5A Schematic diagram RDS(ON)
Другие MOSFET... HM50P06K , HM530 , HM55N03D , HM5853 , HM5N06AR , HM5N06PR , HM5N06R , HM5N20I , IRFP250 , HM5N30K , HM5N30PR , HM5N30R , HM5N50I , HM5N50K , HM5N60 , HM5N60F , HM5N60I .
History: IRF9640PBF | HM50P03D | STN4412
History: IRF9640PBF | HM50P03D | STN4412



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451