HM5N30R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM5N30R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 2.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 300 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.2 V
   Carga de la puerta (Qg): 5 nC
   Tiempo de subida (tr): 7 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 21 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM5N30R

HM5N30R Datasheet (PDF)

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hm5n30r.pdf

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hm5n30pr.pdf

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8.2. Size:1131K cn hmsemi
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300V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficien

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Liste

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