Справочник MOSFET. HM5N30R

 

HM5N30R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: HM5N30R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 300 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.2 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 5 nC
   Время нарастания (tr): 7 ns
   Выходная емкость (Cd): 21 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT223

 Аналог (замена) для HM5N30R

 

 

HM5N30R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1174K  cn hmsemi
 hm5n30r.pdf

HM5N30R HM5N30R

HM5N30R Silicon N-Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 300 V HM5N30R, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD (TC=25) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 1.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circ

 8.1. Size:1689K  cn hmsemi
 hm5n30pr.pdf

HM5N30R HM5N30R

HM5N30PR Silicon N-Channel Power MOSFETGeneral Description VDSS 300 V HM5N30PR, the silicon N-channel Enhanced ID 5 A PD (TC=25) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)TYP 1.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching ci

 8.2. Size:1131K  cn hmsemi
 hm5n30k.pdf

HM5N30R HM5N30R

300V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description The is silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and higher efficien

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top