HM5N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM5N90
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220AB

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM5N90

HM5N90 Datasheet (PDF)

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hm5n90.pdf

HM5N90Silicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 V HM5N90, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25) 110 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 2.1 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: