HM5N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM5N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 110 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 31 nC
Tiempo de subida (tr): 28 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220AB
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM5N90
HM5N90 Datasheet (PDF)
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HM5N90Silicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 V HM5N90, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25) 110 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 2.1 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit
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