HM5N90. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: HM5N90

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для HM5N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N90 даташит

 ..1. Size:1118K  cn hmsemi
 hm5n90.pdf pdf_icon

HM5N90

HM5N90 Silicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 V HM5N90, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25 ) 110 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 2.1 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit

Другие IGBT... HM5N60, HM5N60F, HM5N60I, HM5N60K, HM5N65, HM5N65F, HM5N65I, HM5N65K, AO3407, HM5P55R, HM6005A, HM603AK, HM603BK, HM603K, HM607K, HM609BK, HM609K