Справочник MOSFET. HM5N90

 

HM5N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM5N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: TO220AB
 

 Аналог (замена) для HM5N90

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1118K  cn hmsemi
 hm5n90.pdf pdf_icon

HM5N90

HM5N90Silicon N-Channel Power MOSFET General Description VDSS 900 V HM5N90, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is ID 5 A PD(TC=25) 110 W obtained by the self-aligned planar Technology which reduce the RDS(ON)Typ 2.1 conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit

Другие MOSFET... HM5N60 , HM5N60F , HM5N60I , HM5N60K , HM5N65 , HM5N65F , HM5N65I , HM5N65K , 7N60 , HM5P55R , HM6005A , HM603AK , HM603BK , HM603K , HM607K , HM609BK , HM609K .

History: P0690ATF | HGP115N15S | OSG60R2K2DSF | SIHFP054 | TPAO5401EL | AP20N15AGH | BL40N25-W

 

 
Back to Top

 


 
.