HM5P55R Todos los transistores

 

HM5P55R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM5P55R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 145 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.08 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

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HM5P55R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  cn hmsemi
 hm5p55r.pdf pdf_icon

HM5P55R

HM5P55R P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM5P55R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-5A RDS(ON)

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History: BL3N105-P | SI5432DC | IXFP102N15T | HM5N90 | DE275-501N16A

 

 
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