HM5P55R - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM5P55R
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
Тип корпуса: SOT223
Аналог (замена) для HM5P55R
HM5P55R Datasheet (PDF)
hm5p55r.pdf

HM5P55RP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM5P55R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-5A RDS(ON)
Другие MOSFET... HM5N60F , HM5N60I , HM5N60K , HM5N65 , HM5N65F , HM5N65I , HM5N65K , HM5N90 , RU6888R , HM6005A , HM603AK , HM603BK , HM603K , HM607K , HM609BK , HM609K , HM60N02 .
History: HRD80N06K | DMP4015SK3 | HMS11N65D | JCS4N90RH | HTS600A06 | 2N4857A | PSMN4R4-80PS
History: HRD80N06K | DMP4015SK3 | HMS11N65D | JCS4N90RH | HTS600A06 | 2N4857A | PSMN4R4-80PS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
a933 transistor | d209l | irfb4321 | 2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent