Справочник MOSFET. HM5P55R

 

HM5P55R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM5P55R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для HM5P55R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM5P55R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:688K  cn hmsemi
 hm5p55r.pdf pdf_icon

HM5P55R

HM5P55RP-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM5P55R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =-55V,ID =-5A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM5N60F , HM5N60I , HM5N60K , HM5N65 , HM5N65F , HM5N65I , HM5N65K , HM5N90 , 75N75 , HM6005A , HM603AK , HM603BK , HM603K , HM607K , HM609BK , HM609K , HM60N02 .

History: P0660ED | CEP630N | NCE70T260K | IXFH16N120P | FDMS86350ET80 | NCE65NF036T | CS110N03A3

 

 
Back to Top

 


 
.