HM607K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM607K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 21 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252-4L
Búsqueda de reemplazo de HM607K MOSFET
HM607K Datasheet (PDF)
hm607k.pdf

N&P-Channel V Complementary MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features N channel VDS =30V,ID =25A Schematic diagram RDS(ON)
Otros transistores... HM5N65I , HM5N65K , HM5N90 , HM5P55R , HM6005A , HM603AK , HM603BK , HM603K , AON6380 , HM609BK , HM609K , HM60N02 , HM60N02K , HM60N03 , HM60N03D , HM60N03K , HM60N04 .
History: BSL316C | APT39F60J | JCS740VC | QM2404D | AFN1912 | IRF3708 | IPW50R350CP
History: BSL316C | APT39F60J | JCS740VC | QM2404D | AFN1912 | IRF3708 | IPW50R350CP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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