HM607K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM607K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 21 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO252-4L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM607K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM607K даташит

 ..1. Size:718K  cn hmsemi
 hm607k.pdf pdf_icon

HM607K

N&P-Channel V Complementary MOSFET Description The uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features N channel VDS =30V,ID =25A Schematic diagram RDS(ON)

Другие IGBT... HM5N65I, HM5N65K, HM5N90, HM5P55R, HM6005A, HM603AK, HM603BK, HM603K, IRF530, HM609BK, HM609K, HM60N02, HM60N02K, HM60N03, HM60N03D, HM60N03K, HM60N04