HM609BK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM609BK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM609BK

HM609BK Datasheet (PDF)

..1. Size:2079K cn hmsemi
hm609bk.pdf

HM609BKDESCRIPTION The HM609BK is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application such as power management, where high-side switching,

9.1. Size:1004K cn hmsemi
hm609k.pdf

HM609KDual N+P Enhancement MOSFETFeatures Package DimensionsTO-252-4Low On resistance.4.5V drive.RoHS compliant.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at T =250CaParameter Symbol Conditions N-Ch P-Ch UnitDrain-to-Source Voltage V 40 -40 VDSSGate-to-Source Voltage V +20 +20 VGSSDrain Current (DC) I 20 -15 ADDrain Current (Pulse) I PW10uS, duty cycle1

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: