HM609BK Todos los transistores

 

HM609BK MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM609BK
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.2 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.032 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252-4L
 

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HM609BK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2079K  cn hmsemi
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HM609BK

HM609BKDESCRIPTION The HM609BK is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application such as power management, where high-side switching,

 9.1. Size:1004K  cn hmsemi
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HM609BK

HM609KDual N+P Enhancement MOSFETFeatures Package DimensionsTO-252-4Low On resistance.4.5V drive.RoHS compliant.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at T =250CaParameter Symbol Conditions N-Ch P-Ch UnitDrain-to-Source Voltage V 40 -40 VDSSGate-to-Source Voltage V +20 +20 VGSSDrain Current (DC) I 20 -15 ADDrain Current (Pulse) I PW10uS, duty cycle1

Otros transistores... HM5N65K , HM5N90 , HM5P55R , HM6005A , HM603AK , HM603BK , HM603K , HM607K , IRF830 , HM609K , HM60N02 , HM60N02K , HM60N03 , HM60N03D , HM60N03K , HM60N04 , HM60N04K .

History: QM3036D | SWN4N65DD | FS20UM-6 | PH6030L | IPC90N04S5-3R6 | 2SK2424 | GP1M009A090XX

 

 
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