HM609BK datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM609BK  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: TO252-4L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM609BK

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM609BK даташит

 ..1. Size:2079K  cn hmsemi
 hm609bk.pdf pdf_icon

HM609BK

HM609BK DESCRIPTION The HM609BK is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application such as power management, where high-side switching,

 9.1. Size:1004K  cn hmsemi
 hm609k.pdf pdf_icon

HM609BK

HM609K Dual N+P Enhancement MOSFET Features Package Dimensions TO-252-4 Low On resistance. 4.5V drive. RoHS compliant. Specifications Absolute Maximum Ratings at T =250C a Parameter Symbol Conditions N-Ch P-Ch Unit Drain-to-Source Voltage V 40 -40 V DSS Gate-to-Source Voltage V +20 +20 V GSS Drain Current (DC) I 20 -15 A D Drain Current (Pulse) I PW 10uS, duty cycle 1

Другие IGBT... HM5N65K, HM5N90, HM5P55R, HM6005A, HM603AK, HM603BK, HM603K, HM607K, AO3407, HM609K, HM60N02, HM60N02K, HM60N03, HM60N03D, HM60N03K, HM60N04, HM60N04K