Справочник MOSFET. HM609BK

 

HM609BK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM609BK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
   Тип корпуса: TO252-4L
 

 Аналог (замена) для HM609BK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM609BK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2079K  cn hmsemi
 hm609bk.pdf pdf_icon

HM609BK

HM609BKDESCRIPTION The HM609BK is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application such as power management, where high-side switching,

 9.1. Size:1004K  cn hmsemi
 hm609k.pdf pdf_icon

HM609BK

HM609KDual N+P Enhancement MOSFETFeatures Package DimensionsTO-252-4Low On resistance.4.5V drive.RoHS compliant.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at T =250CaParameter Symbol Conditions N-Ch P-Ch UnitDrain-to-Source Voltage V 40 -40 VDSSGate-to-Source Voltage V +20 +20 VGSSDrain Current (DC) I 20 -15 ADDrain Current (Pulse) I PW10uS, duty cycle1

Другие MOSFET... HM5N65K , HM5N90 , HM5P55R , HM6005A , HM603AK , HM603BK , HM603K , HM607K , IRF830 , HM609K , HM60N02 , HM60N02K , HM60N03 , HM60N03D , HM60N03K , HM60N04 , HM60N04K .

 

 
Back to Top

 


 
.