HM609BK MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM609BK
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: NP
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 5.5 nC
trⓘ - Время нарастания: 2.2 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm
Тип корпуса: TO252-4L
HM609BK Datasheet (PDF)
hm609bk.pdf
HM609BKDESCRIPTION The HM609BK is the N & P-Channel enhancement mode power field effect transistor using high cell density DMOS trench technology. This high density process is especially tailored to minimize on-state resistance and provide superior switching performance. This device is particularly suited for low voltage application such as power management, where high-side switching,
hm609k.pdf
HM609KDual N+P Enhancement MOSFETFeatures Package DimensionsTO-252-4Low On resistance.4.5V drive.RoHS compliant.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at T =250CaParameter Symbol Conditions N-Ch P-Ch UnitDrain-to-Source Voltage V 40 -40 VDSSGate-to-Source Voltage V +20 +20 VGSSDrain Current (DC) I 20 -15 ADDrain Current (Pulse) I PW10uS, duty cycle1
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F