HM6620 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM6620  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm

Encapsulados: SOT23-6L

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HM6620 datasheet

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HM6620

HM6620 N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM6620 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-Channel N-channel P-channel VDS = 20V,ID =3A RDS(ON)

Otros transistores... HM610AK, HM640, HM6400, HM6401, HM6408, HM6409, HM6602, HM6604, IRF3205, HM6800, HM6801, HM6803, HM6804, HM6804D, HM6N10, HM6N10PR, HM6N10R