HM6620 Todos los transistores

 

HM6620 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM6620
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 48 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.065 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT23-6L
 

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HM6620 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  cn hmsemi
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HM6620

HM6620N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM6620 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-Channel N-channel P-channelVDS = 20V,ID =3A RDS(ON)

Otros transistores... HM610AK , HM640 , HM6400 , HM6401 , HM6408 , HM6409 , HM6602 , HM6604 , IRFZ44N , HM6800 , HM6801 , HM6803 , HM6804 , HM6804D , HM6N10 , HM6N10PR , HM6N10R .

History: FQD2N90TF | IXFT86N30T | BLP10N20J-B | IRFS723 | ME70N03S-G | DH400P06F | IPB180N08S4-02

 

 
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