HM6620 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM6620  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: SOT23-6L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM6620

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM6620 даташит

 ..1. Size:721K  cn hmsemi
 hm6620.pdf pdf_icon

HM6620

HM6620 N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM6620 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-Channel N-channel P-channel VDS = 20V,ID =3A RDS(ON)

Другие IGBT... HM610AK, HM640, HM6400, HM6401, HM6408, HM6409, HM6602, HM6604, IRF3205, HM6800, HM6801, HM6803, HM6804, HM6804D, HM6N10, HM6N10PR, HM6N10R