Справочник MOSFET. HM6620

 

HM6620 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM6620
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 48 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: SOT23-6L
 

 Аналог (замена) для HM6620

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM6620 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:721K  cn hmsemi
 hm6620.pdf pdf_icon

HM6620

HM6620N and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM6620 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features N-Channel N-channel P-channelVDS = 20V,ID =3A RDS(ON)

Другие MOSFET... HM610AK , HM640 , HM6400 , HM6401 , HM6408 , HM6409 , HM6602 , HM6604 , IRFZ44N , HM6800 , HM6801 , HM6803 , HM6804 , HM6804D , HM6N10 , HM6N10PR , HM6N10R .

History: SVFP10N60CFJD | 2SK2967 | SIR462DP | SVGP20110NT | WFP4N60 | QM2401V

 

 
Back to Top

 


 
.