HM6N10PR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM6N10PR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT89

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HM6N10PR datasheet

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HM6N10PR

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HM6N10PR

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HM6N10PR

HM6N10R N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description D The HM6N10R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It G can be used in a wide variety of applications. S General Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)

Otros transistores... HM6604, HM6620, HM6800, HM6801, HM6803, HM6804, HM6804D, HM6N10, IRF540N, HM6N10R, HM6N70, HM6N70F, HM6N70I, HM6N70K, HM6N80K, HM6N90, HM7000