HM6N10PR Todos los transistores

 

HM6N10PR MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM6N10PR
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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HM6N10PR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:814K  cn hmsemi
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HM6N10PR

HM6N10PRN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM6N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:682K  cn hmsemi
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HM6N10PR

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = 100V,ID = 6A RDS(ON)

 8.2. Size:586K  cn hmsemi
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HM6N10PR

HM6N10RN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM6N10R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)

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History: CP640 | HY4306B6 | BRFL13N50 | 2SK1478 | IXFT12N100F | 2SK65 | CEF02N6G

 

 
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