Справочник MOSFET. HM6N10PR

 

HM6N10PR Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM6N10PR
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: SOT89
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM6N10PR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:814K  cn hmsemi
 hm6n10pr.pdf pdf_icon

HM6N10PR

HM6N10PRN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM6N10PR uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)

 8.1. Size:682K  cn hmsemi
 hm6n10.pdf pdf_icon

HM6N10PR

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET DDescription The uses advanced trench technology and Gdesign to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. SGeneral Features Schematic diagram VDS = 100V,ID = 6A RDS(ON)

 8.2. Size:586K  cn hmsemi
 hm6n10r.pdf pdf_icon

HM6N10PR

HM6N10RN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description DThe HM6N10R uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It Gcan be used in a wide variety of applications. SGeneral Features VDS = 100V,ID = 6A Schematic diagram RDS(ON)

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.