HM6N80K Todos los transistores

 

HM6N80K MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM6N80K

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO252

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HM6N80K datasheet

 ..1. Size:465K  cn hmsemi
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HM6N80K

HM6N80K General Description VDSS 800 V HM6N80K, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25 ) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization a

Otros transistores... HM6804D , HM6N10 , HM6N10PR , HM6N10R , HM6N70 , HM6N70F , HM6N70I , HM6N70K , IRFB4110 , HM6N90 , HM7000 , HM7002 , HM7002B , HM7002DM , HM7002DW , HM7002JR , HM7002KDW .

 

 

 


 
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