HM6N80K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM6N80K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 28.4 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM6N80K
HM6N80K Datasheet (PDF)
..1. Size:465K cn hmsemi
hm6n80k.pdf
hm6n80k.pdf
HM6N80KGeneral Description VDSS 800 V HM6N80K, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization a
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
