Справочник MOSFET. HM6N80K

 

HM6N80K Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM6N80K
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM6N80K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:465K  cn hmsemi
 hm6n80k.pdf pdf_icon

HM6N80K

HM6N80KGeneral Description VDSS 800 V HM6N80K, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A PD(TC=25) 180 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.8 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization a

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SM8A01NSFP | BUK112-50GL | FDMC2610 | STD18NF25 | FM400TU-07A | UF830KG-TN3-R | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.