HM6N90 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM6N90  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.2 Ohm

Encapsulados: TO252

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HM6N90 datasheet

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HM6N90

HM6N90 General Description VDSS 900 V HM6N90, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(TC=25 ) 120 W RDS(ON)Typ 1.85 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and

Otros transistores... HM6N10, HM6N10PR, HM6N10R, HM6N70, HM6N70F, HM6N70I, HM6N70K, HM6N80K, IRFP260N, HM7000, HM7002, HM7002B, HM7002DM, HM7002DW, HM7002JR, HM7002KDW, HM7002KR