HM6N90 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM6N90
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 28.4 nC
Tiempo de subida (tr): 17 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 115 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM6N90
HM6N90 Datasheet (PDF)
hm6n90.pdf
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HM6N90General Description VDSS 900 V HM6N90, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(TC=25) 120 W RDS(ON)Typ 1.85 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and
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