HM6N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM6N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM6N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM6N90 даташит

 ..1. Size:473K  cn hmsemi
 hm6n90.pdf pdf_icon

HM6N90

HM6N90 General Description VDSS 900 V HM6N90, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(TC=25 ) 120 W RDS(ON)Typ 1.85 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and

Другие IGBT... HM6N10, HM6N10PR, HM6N10R, HM6N70, HM6N70F, HM6N70I, HM6N70K, HM6N80K, IRFP260N, HM7000, HM7002, HM7002B, HM7002DM, HM7002DW, HM7002JR, HM7002KDW, HM7002KR