Справочник MOSFET. HM6N90

 

HM6N90 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM6N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM6N90 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:473K  cn hmsemi
 hm6n90.pdf pdf_icon

HM6N90

HM6N90General Description VDSS 900 V HM6N90, the silicon N-channel Enhanced ID 6 A VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology PD(TC=25) 120 W RDS(ON)Typ 1.85 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization and

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: ZVP4525GTA | P0908ATF | 2SK2424 | 2SK4108 | JCS2N60MB | CM20N50P | AP9997GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.