HM730 Todos los transistores

 

HM730 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM730
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 76 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de HM730 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HM730 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  cn hmsemi
 hm730 hm730f.pdf pdf_icon

HM730

HM730 / HM730F400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 6.0A, 400V, RDS(on) = 1.00 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 18nC)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche t

 0.1. Size:57K  chenmko
 chm730gpagp.pdf pdf_icon

HM730

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM730GPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 400 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control.* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)..094 (2.40).280 (7.10).035 (0.89).08

Otros transistores... HM70N80 , HM70N80A , HM70N88 , HM70N90D , HM70P02D , HM70P03 , HM70P03K , HM70P04 , 12N60 , HM730F , HM740 , HM740F , HM75N06 , HM75N06K , HM75N07K , HM75N20 , HM75N75 .

History: HM75N06 | NCEAP60T12AK | NCEP40T20A

 

 
Back to Top

 


 
.