HM730 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM730
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 76 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM730
HM730 Datasheet (PDF)
hm730 hm730f.pdf
HM730 / HM730F 400V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 6.0A, 400V, RDS(on) = 1.00 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 18nC) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching minimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche t
chm730gpagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM730GPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 400 Volts CURRENT 5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) .035 (0.89) .08
Otros transistores... HM70N80 , HM70N80A , HM70N88 , HM70N90D , HM70P02D , HM70P03 , HM70P03K , HM70P04 , K3569 , HM730F , HM740 , HM740F , HM75N06 , HM75N06K , HM75N07K , HM75N20 , HM75N75 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q | AP25N06K | AP2335 | AP2318A | AP2317SD | AP2317QD | AP2317A | AP2316 | AP2310 | AP2301B | AP20P30S
Popular searches
2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor | 2sa913 | 2sc711 datasheet | bu4508dx