HM730 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM730  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 76 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM730

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM730 даташит

 ..1. Size:296K  cn hmsemi
 hm730 hm730f.pdf pdf_icon

HM730

HM730 / HM730F 400V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 6.0A, 400V, RDS(on) = 1.00 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 18nC) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching minimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche t

 0.1. Size:57K  chenmko
 chm730gpagp.pdf pdf_icon

HM730

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM730GPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 400 Volts CURRENT 5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) .035 (0.89) .08

Другие IGBT... HM70N80, HM70N80A, HM70N88, HM70N90D, HM70P02D, HM70P03, HM70P03K, HM70P04, 2SK3568, HM730F, HM740, HM740F, HM75N06, HM75N06K, HM75N07K, HM75N20, HM75N75