HM730F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM730F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO220F

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HM730F datasheet

 ..1. Size:296K  cn hmsemi
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HM730F

HM730 / HM730F 400V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 6.0A, 400V, RDS(on) = 1.00 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 18nC) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching minimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche t

 9.1. Size:57K  chenmko
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HM730F

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM730GPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 400 Volts CURRENT 5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) .035 (0.89) .08

Otros transistores... HM70N80A, HM70N88, HM70N90D, HM70P02D, HM70P03, HM70P03K, HM70P04, HM730, 13N50, HM740, HM740F, HM75N06, HM75N06K, HM75N07K, HM75N20, HM75N75, HM75N75K