HM730F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HM730F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 18 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM730F

HM730F Datasheet (PDF)

..1. Size:296K cn hmsemi
hm730 hm730f.pdf

HM730 / HM730F400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 6.0A, 400V, RDS(on) = 1.00 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 18nC)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche t

9.1. Size:57K chenmko
chm730gpagp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM730GPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 400 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control.* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)..094 (2.40).280 (7.10).035 (0.89).08

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: