Справочник MOSFET. HM730F

 

HM730F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM730F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HM730F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM730F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  cn hmsemi
 hm730 hm730f.pdf pdf_icon

HM730F

HM730 / HM730F400V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 6.0A, 400V, RDS(on) = 1.00 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 18nC)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche t

 9.1. Size:57K  chenmko
 chm730gpagp.pdf pdf_icon

HM730F

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM730GPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 400 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control.* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)..094 (2.40).280 (7.10).035 (0.89).08

Другие MOSFET... HM70N80A , HM70N88 , HM70N90D , HM70P02D , HM70P03 , HM70P03K , HM70P04 , HM730 , 8205A , HM740 , HM740F , HM75N06 , HM75N06K , HM75N07K , HM75N20 , HM75N75 , HM75N75K .

 

 
Back to Top

 


 
.