HM7N80D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM7N80D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 185 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 132 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.8 Ohm

Encapsulados: TO263

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HM7N80D datasheet

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HM7N80D

HM7N80D General Description VDSS 800 V , the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 185 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization

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HM7N80D

HM7N80 / HM7N80F HM7N80 / HM7N80F 800V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 7.0A, 800V, RDS(on) = 1.90 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 27nC) This advanced technology has been especially tailored to High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switchin

Otros transistores... HM7N60F, HM7N60I, HM7N60K, HM7N65, HM7N65F, HM7N65I, HM7N65K, HM7N80, IRFP250, HM7N80F, HM80N03, HM80N03A, HM80N03I, HM80N03K, HM80N03KA, HM80N04, HM80N04K