HM7N80D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM7N80D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 185 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 800 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 43 nC
Tiempo de subida (tr): 20 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 132 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HM7N80D
HM7N80D Datasheet (PDF)
hm7n80d.pdf
HM7N80D General Description VDSS 800 V , the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25) 185 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization
hm7n80 hm7n80f.pdf
HM7N80 / HM7N80F HM7N80 / HM7N80F 800V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 7.0A, 800V, RDS(on) = 1.90 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 27nC)This advanced technology has been especially tailored to High ruggednessminimize on-state resistance, provide superior switchin
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