HM7N80D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM7N80D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM7N80D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM7N80D даташит

 ..1. Size:491K  cn hmsemi
 hm7n80d.pdf pdf_icon

HM7N80D

HM7N80D General Description VDSS 800 V , the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 185 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization

 8.1. Size:328K  cn hmsemi
 hm7n80 hm7n80f.pdf pdf_icon

HM7N80D

HM7N80 / HM7N80F HM7N80 / HM7N80F 800V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 7.0A, 800V, RDS(on) = 1.90 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 27nC) This advanced technology has been especially tailored to High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switchin

Другие IGBT... HM7N60F, HM7N60I, HM7N60K, HM7N65, HM7N65F, HM7N65I, HM7N65K, HM7N80, IRFP250, HM7N80F, HM80N03, HM80N03A, HM80N03I, HM80N03K, HM80N03KA, HM80N04, HM80N04K