HM7N80D - аналоги и даташиты транзистора

 

HM7N80D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: HM7N80D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 185 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 132 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.8 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для HM7N80D

 

HM7N80D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:491K  cn hmsemi
 hm7n80d.pdf pdf_icon

HM7N80D

HM7N80D General Description VDSS 800 V , the silicon N-channel Enhanced ID 7 A PD(TC=25 ) 185 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.5 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system miniaturization

 8.1. Size:328K  cn hmsemi
 hm7n80 hm7n80f.pdf pdf_icon

HM7N80D

HM7N80 / HM7N80F HM7N80 / HM7N80F 800V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 7.0A, 800V, RDS(on) = 1.90 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 27nC) This advanced technology has been especially tailored to High ruggedness minimize on-state resistance, provide superior switchin

Другие MOSFET... HM7N60F , HM7N60I , HM7N60K , HM7N65 , HM7N65F , HM7N65I , HM7N65K , HM7N80 , 4N60 , HM7N80F , HM80N03 , HM80N03A , HM80N03I , HM80N03K , HM80N03KA , HM80N04 , HM80N04K .

History: JBL102Y | VBA5415

 

 
Back to Top

 


 
.