HM840 Todos los transistores

 

HM840 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM840
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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HM840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  cn hmsemi
 hm840 hm840f.pdf pdf_icon

HM840

840 / 840F 500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 9.0A, 500V, RDS(on) = 0.85 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 30nC)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche

 0.1. Size:111K  chenmko
 chm8401jgp.pdf pdf_icon

HM840

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM8401JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.5 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R

Otros transistores... HM80N80 , HM80N80B , HM8205 , HM8205A , HM8205D , HM8205Q , HM830 , HM830F , MMIS60R580P , HM840F , HM85N02 , HM85N02K , HM85N80 , HM85N90 , HM85N95D , HM85P02 , HM85P02D .

History: FQD1N60TF | AM40N04-30D | STN3414 | NVMFS5C442NL | CMLDM7005 | TSM4410CS | VS4618AE

 

 
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