HM840 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM840  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.85 Ohm

Encapsulados: TO220

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HM840 datasheet

 ..1. Size:319K  cn hmsemi
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HM840

840 / 840F 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 9.0A, 500V, RDS(on) = 0.85 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 30nC) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching minimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche

 0.1. Size:111K  chenmko
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HM840

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM8401JGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.5 Ampere P-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low R

Otros transistores... HM80N80, HM80N80B, HM8205, HM8205A, HM8205D, HM8205Q, HM830, HM830F, 7N60, HM840F, HM85N02, HM85N02K, HM85N80, HM85N90, HM85N95D, HM85P02, HM85P02D