HM840 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM840  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM840

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM840 даташит

 ..1. Size:319K  cn hmsemi
 hm840 hm840f.pdf pdf_icon

HM840

840 / 840F 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 9.0A, 500V, RDS(on) = 0.85 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 30nC) This advanced technology has been especially tailored to Fast switching minimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche

 0.1. Size:111K  chenmko
 chm8401jgp.pdf pdf_icon

HM840

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM8401JGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.5 Ampere P-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low R

Другие IGBT... HM80N80, HM80N80B, HM8205, HM8205A, HM8205D, HM8205Q, HM830, HM830F, 7N60, HM840F, HM85N02, HM85N02K, HM85N80, HM85N90, HM85N95D, HM85P02, HM85P02D