Справочник MOSFET. HM840

 

HM840 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM840
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.85 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HM840

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM840 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  cn hmsemi
 hm840 hm840f.pdf pdf_icon

HM840

840 / 840F 500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 9.0A, 500V, RDS(on) = 0.85 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 30nC)This advanced technology has been especially tailored to Fast switchingminimize on-state resistance, provide superior switching 100% avalanche

 0.1. Size:111K  chenmko
 chm8401jgp.pdf pdf_icon

HM840

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM8401JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7.5 AmpereP-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R

Другие MOSFET... HM80N80 , HM80N80B , HM8205 , HM8205A , HM8205D , HM8205Q , HM830 , HM830F , MMIS60R580P , HM840F , HM85N02 , HM85N02K , HM85N80 , HM85N90 , HM85N95D , HM85P02 , HM85P02D .

History: IPT026N10N5 | NX7002BK | IRFS7787PBF | TK16G60W5 | XP202A0003PR-G | NCE65NF023T4 | CTLDM7002A-M621H

 

 
Back to Top

 


 
.