HM8N20KA Todos los transistores

 

HM8N20KA MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM8N20KA
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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HM8N20KA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:908K  cn hmsemi
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HM8N20KA

HM8N20KAN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM8N20KA uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =8A RDS(ON)

 7.1. Size:701K  cn hmsemi
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HM8N20KA

HM8N20KN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM8N20K uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =8A RDS(ON)

 8.1. Size:626K  cn hmsemi
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HM8N20KA

HM8N20AN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM8N20A uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =8A RDS(ON)

 8.2. Size:559K  cn hmsemi
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HM8N20KA

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM8N20I uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =200V,ID =8A RDS(ON)

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History: FMV24N25G

 

 
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