HM8P02MR Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM8P02MR  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 18 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 680 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOT23

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HM8P02MR datasheet

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HM8P02MR

-18V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description General Features NP1208 App

Otros transistores... HM8810A, HM8810S, HM8N20, HM8N20A, HM8N20I, HM8N20K, HM8N20KA, HM8N25K, IRF3205, HM90N04D, HM90N06D, HM9435, HM9435A, HM9435B, HM9436, HM9926, HM9926B