HM8P02MR datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM8P02MR  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 18 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM8P02MR

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM8P02MR даташит

 ..1. Size:973K  cn hmsemi
 hm8p02mr.pdf pdf_icon

HM8P02MR

-18V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Description General Features NP1208 App

Другие IGBT... HM8810A, HM8810S, HM8N20, HM8N20A, HM8N20I, HM8N20K, HM8N20KA, HM8N25K, IRF3205, HM90N04D, HM90N06D, HM9435, HM9435A, HM9435B, HM9436, HM9926, HM9926B