HM90N04D Todos los transistores

 

HM90N04D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM90N04D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 65 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 898 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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HM90N04D Datasheet (PDF)

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HM90N04D

HM90N04DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM90N04D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =90A RDS(ON)

 8.1. Size:628K  cn hmsemi
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HM90N04D

HM90N06DN-Channel Trench Power MOSFETGeneral DescriptionThe HM90N06D is N-channel MOS Field Effect Transistordesigned for high current switching applications. RuggedEAS capability and ultra low R is suitable for PWM,DS(ON)load switching especially for E-Bike controller applications.Top ViewFeatures V =65V; I =88A@ V =10V;DS D GSR

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History: BRCS080N02ZJ | OSG70R600AF | OSG70R600DF | 10N60G-T2Q-T | RJK0660DPA | HY3606B | FDBL86366F085

 

 
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