HM90N04D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: HM90N04D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6-8L
HM90N04D Datasheet (PDF)
hm90n04d.pdf
HM90N04D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HM90N04D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =40V,ID =90A RDS(ON)
hm90n06d.pdf
HM90N06D N-Channel Trench Power MOSFET General Description The HM90N06D is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Rugged EAS capability and ultra low R is suitable for PWM, DS(ON) load switching especially for E-Bike controller applications. Top View Features V =65V; I =88A@ V =10V; DS D GS R
Другие MOSFET... HM8810S , HM8N20 , HM8N20A , HM8N20I , HM8N20K , HM8N20KA , HM8N25K , HM8P02MR , IRF3205 , HM90N06D , HM9435 , HM9435A , HM9435B , HM9436 , HM9926 , HM9926B , HM9N90F .
History: PSMN3R2-40YLD | PTP4N60
History: PSMN3R2-40YLD | PTP4N60
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30H150K | AP30H150G | AP3065SD | AP3004S | AP3003 | AP3002S | AP2N65K | AP2716SD | AP2716QD | AP2716KD | AP2714SD | AP2714QD | AP25P30Q | AP25P06Q | AP25P06K | AP25N06Q
Popular searches
2n404 | 2n4250 | d882 transistor equivalent | 17n80c3 | bc107 transistor | rjp63g4 datasheet | 2sc1115 | c3998 transistor



