HM9N90F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HM9N90F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de HM9N90F MOSFET
HM9N90F Datasheet (PDF)
hm9n90f.pdf

HM9N90 HM9N90 900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 9.0A, 900V, RDS(on) = 1.40 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC)This advanced technology has been espe cially tailored to High ruggednessminimize o n-state r esistance, pr ovide superior switching Fast wit
Otros transistores... HM90N04D , HM90N06D , HM9435 , HM9435A , HM9435B , HM9436 , HM9926 , HM9926B , IRFZ44 , HMS100N85D , HMS105N10D , HMS10N60I , HMS10N60K , HMS110N15 , HMS11N60 , HMS11N60D , HMS11N60F .
History: HY3912A | CEP03N8 | BL3N90E-D | SI1039X | CSD18503KCS | TPCC8068-H | IPA032N06N3G
History: HY3912A | CEP03N8 | BL3N90E-D | SI1039X | CSD18503KCS | TPCC8068-H | IPA032N06N3G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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