HM9N90F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HM9N90F  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO220F

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HM9N90F datasheet

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HM9N90F

HM9N90 HM9N90 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 9.0A, 900V, RDS(on) = 1.40 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC) This advanced technology has been espe cially tailored to High ruggedness minimize o n-state r esistance, pr ovide superior switching Fast wit

Otros transistores... HM90N04D, HM90N06D, HM9435, HM9435A, HM9435B, HM9436, HM9926, HM9926B, IRFZ44, HMS100N85D, HMS105N10D, HMS10N60I, HMS10N60K, HMS110N15, HMS11N60, HMS11N60D, HMS11N60F