HM9N90F Todos los transistores

 

HM9N90F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HM9N90F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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HM9N90F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  cn hmsemi
 hm9n90f.pdf pdf_icon

HM9N90F

HM9N90 HM9N90 900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 9.0A, 900V, RDS(on) = 1.40 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC)This advanced technology has been espe cially tailored to High ruggednessminimize o n-state r esistance, pr ovide superior switching Fast wit

Otros transistores... HM90N04D , HM90N06D , HM9435 , HM9435A , HM9435B , HM9436 , HM9926 , HM9926B , IRF640 , HMS100N85D , HMS105N10D , HMS10N60I , HMS10N60K , HMS110N15 , HMS11N60 , HMS11N60D , HMS11N60F .

History: FQPF90N10V2 | IPD075N03L | AM3454N | AM3457PE | IPP65R045C7 | BUK7M8R0-40E | CEP6060L

 

 
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