HM9N90F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HM9N90F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 9 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Время нарастания (tr): 120 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220F
HM9N90F Datasheet (PDF)
..1. Size:383K cn hmsemi
hm9n90f.pdf
hm9n90f.pdf
HM9N90 HM9N90 900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 9.0A, 900V, RDS(on) = 1.40 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC)This advanced technology has been espe cially tailored to High ruggednessminimize o n-state r esistance, pr ovide superior switching Fast wit
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
