HM9N90F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HM9N90F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HM9N90F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HM9N90F даташит

 ..1. Size:383K  cn hmsemi
 hm9n90f.pdf pdf_icon

HM9N90F

HM9N90 HM9N90 900V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using SL semi s 9.0A, 900V, RDS(on) = 1.40 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC) This advanced technology has been espe cially tailored to High ruggedness minimize o n-state r esistance, pr ovide superior switching Fast wit

Другие IGBT... HM90N04D, HM90N06D, HM9435, HM9435A, HM9435B, HM9436, HM9926, HM9926B, IRFZ44, HMS100N85D, HMS105N10D, HMS10N60I, HMS10N60K, HMS110N15, HMS11N60, HMS11N60D, HMS11N60F