Справочник MOSFET. HM9N90F

 

HM9N90F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HM9N90F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HM9N90F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:383K  cn hmsemi
 hm9n90f.pdf pdf_icon

HM9N90F

HM9N90 HM9N90 900V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using SL semis 9.0A, 900V, RDS(on) = 1.40 @VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. Low gate charge ( typical 45nC)This advanced technology has been espe cially tailored to High ruggednessminimize o n-state r esistance, pr ovide superior switching Fast wit

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AON6450 | CES2314 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | IRC6305

 

 
Back to Top

 


 
.