HMS18N10Q MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HMS18N10Q
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X3-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HMS18N10Q

HMS18N10Q Datasheet (PDF)

..1. Size:1002K cn hmsemi
hms18n10q.pdf

HMS18N10QN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HMS18N10Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =18A RDS(ON)

6.1. Size:1354K cn hmsemi
hms18n10d.pdf

HMS18N10DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HMS18N10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =18A RDS(ON)

8.1. Size:1142K cn hmsemi
hms18n80 hms18n80f.pdf

HMS18N80,HMS18N80FN-Channel Super Junction Power MOSFET II General Description The series of devices use advanced super junction VDS 800 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) TYP. 280 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 18 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applicatio

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Liste

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