HMS18N10Q MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HMS18N10Q
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 22.3 nC
Время нарастания (tr): 5 ns
Выходная емкость (Cd): 44.2 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: DFN3X3-8L
HMS18N10Q Datasheet (PDF)
hms18n10q.pdf
HMS18N10QN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HMS18N10Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =18A RDS(ON)
hms18n10d.pdf
HMS18N10DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HMS18N10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =18A RDS(ON)
hms18n80 hms18n80f.pdf
HMS18N80,HMS18N80FN-Channel Super Junction Power MOSFET II General Description The series of devices use advanced super junction VDS 800 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) TYP. 280 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 18 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applicatio
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: HY1303C
