HMS18N80F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMS18N80F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de HMS18N80F MOSFET
HMS18N80F Datasheet (PDF)
hms18n80 hms18n80f.pdf

HMS18N80,HMS18N80FN-Channel Super Junction Power MOSFET II General Description The series of devices use advanced super junction VDS 800 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) TYP. 280 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 18 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applicatio
hms18n10q.pdf

HMS18N10QN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HMS18N10Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =18A RDS(ON)
hms18n10d.pdf

HMS18N10DN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HMS18N10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =18A RDS(ON)
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History: DCCF020M65G2 | CEP01N65 | CEU16N10 | SIHFI840G | EV3404 | GSM8988 | AP20N15AGH
History: DCCF020M65G2 | CEP01N65 | CEU16N10 | SIHFI840G | EV3404 | GSM8988 | AP20N15AGH



Liste
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