HMS18N80F datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS18N80F  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS18N80F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS18N80F даташит

 ..1. Size:1142K  cn hmsemi
 hms18n80 hms18n80f.pdf pdf_icon

HMS18N80F

HMS18N80,HMS18N80F N-Channel Super Junction Power MOSFET II General Description The series of devices use advanced super junction VDS 800 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON) TYP. 280 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 18 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applicatio

 8.1. Size:1002K  cn hmsemi
 hms18n10q.pdf pdf_icon

HMS18N80F

HMS18N10Q N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HMS18N10Q uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =18A RDS(ON)

 8.2. Size:1354K  cn hmsemi
 hms18n10d.pdf pdf_icon

HMS18N80F

HMS18N10D N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The HMS18N10D uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features VDS =100V,ID =18A RDS(ON)

Другие IGBT... HMS15N70K, HMS170N03D, HMS17N65, HMS17N65D, HMS17N65F, HMS18N10D, HMS18N10Q, HMS18N80, AO4407, HMS200N04D, HMS20N15K, HMS21N60, HMS21N60A, HMS21N60F, HMS21N65, HMS21N65A, HMS21N65F