HMS200N04D Todos los transistores

 

HMS200N04D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMS200N04D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 137 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2123 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN5X6-8L
 

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HMS200N04D Datasheet (PDF)

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HMS200N04D

HMS200N04DN-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS200N04D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectif

 9.1. Size:494K  cn hmsemi
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HMS200N04D

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History: TSF840MR | SE2060 | SSF3428 | PHX45NQ11T | AP60AN750IN | CM6N60F

 

 
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