HMS200N04D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS200N04D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2123 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm

Тип корпуса: DFN5X6-8L

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS200N04D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS200N04D даташит

 ..1. Size:465K  cn hmsemi
 hms200n04d.pdf pdf_icon

HMS200N04D

HMS200N04D N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS200N04D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectif

 9.1. Size:494K  cn hmsemi
 hms20n15k.pdf pdf_icon

HMS200N04D

HMS20N15K N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS20N15K uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectific

Другие IGBT... HMS170N03D, HMS17N65, HMS17N65D, HMS17N65F, HMS18N10D, HMS18N10Q, HMS18N80, HMS18N80F, BS170, HMS20N15K, HMS21N60, HMS21N60A, HMS21N60F, HMS21N65, HMS21N65A, HMS21N65F, HMS21N70