HMS25N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMS25N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 35 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 25 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tiempo de subida (tr): 12 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.13 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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HMS25N65F Datasheet (PDF)
hms25n65 hms25n65d hms25n65f.pdf
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