HMS25N65F Todos los transistores

 

HMS25N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMS25N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.13 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

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HMS25N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1029K  cn hmsemi
 hms25n65 hms25n65d hms25n65f.pdf pdf_icon

HMS25N65F

HMS25N65/HMS25N65D/HMS25N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 115 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 2 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and ind

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History: CEB10N65 | 2SK4027 | UT3N10G-AG6-R | NCEAP40ND60AG | APT5014LVFRG | FS10KM-10

 

 
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