Справочник MOSFET. HMS25N65F

 

HMS25N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS25N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для HMS25N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS25N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1029K  cn hmsemi
 hms25n65 hms25n65d hms25n65f.pdf pdf_icon

HMS25N65F

HMS25N65/HMS25N65D/HMS25N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 115 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 2 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and ind

Другие MOSFET... HMS21N65 , HMS21N65A , HMS21N65F , HMS21N70 , HMS21N70A , HMS21N70F , HMS25N65 , HMS25N65D , IRFB31N20D , HMS28N65 , HMS28N65D , HMS28N65F , HMS28N65T , HMS29N65 , HMS29N65D , HMS29N65F , HMS3205 .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.