HMS29N65D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMS29N65D  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 260 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm

Encapsulados: TO263

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HMS29N65D datasheet

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HMS29N65D

HMS29N65/HMS29N65D/HMS29N65F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 96 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 2 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and indu

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