Справочник MOSFET. HMS29N65D

 

HMS29N65D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS29N65D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для HMS29N65D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS29N65D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1005K  cn hmsemi
 hms29n65 hms29n65d hms29n65f.pdf pdf_icon

HMS29N65D

HMS29N65/HMS29N65D/HMS29N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 96 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 2 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and indu

Другие MOSFET... HMS25N65 , HMS25N65D , HMS25N65F , HMS28N65 , HMS28N65D , HMS28N65F , HMS28N65T , HMS29N65 , IRF520 , HMS29N65F , HMS3205 , HMS3205D , HMS35DN10DA , HMS35N10K , HMS38N60T , HMS4030 , HMS4030D .

History: AO3415A | 2SK2162 | VBA1310S

 

 
Back to Top

 


 
.