HMS29N65D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS29N65D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 260 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: TO263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS29N65D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS29N65D даташит

 ..1. Size:1005K  cn hmsemi
 hms29n65 hms29n65d hms29n65f.pdf pdf_icon

HMS29N65D

HMS29N65/HMS29N65D/HMS29N65F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DS junction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 96 m DS(ON)TYP with low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 2 A industry s AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and indu

Другие IGBT... HMS25N65, HMS25N65D, HMS25N65F, HMS28N65, HMS28N65D, HMS28N65F, HMS28N65T, HMS29N65, 75N75, HMS29N65F, HMS3205, HMS3205D, HMS35DN10DA, HMS35N10K, HMS38N60T, HMS4030, HMS4030D