HMS35N10K Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMS35N10K  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 354 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO252

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HMS35N10K datasheet

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HMS35N10K

HMS35N10K N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS35N10K uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectific

 9.1. Size:591K  cn hmsemi
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HMS35N10K

HMS35DN10DA N-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The HMS35DN10DA uses Super Trench technology that is VDS =100V,ID =35A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=18m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=22m (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extremely

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