HMS35N10K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HMS35N10K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 65 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 354 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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HMS35N10K Datasheet (PDF)

..1. Size:1021K cn hmsemi
hms35n10k.pdf

HMS35N10KN-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS35N10K uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectific

9.1. Size:591K cn hmsemi
hms35dn10da.pdf

HMS35DN10DAN-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The HMS35DN10DA uses Super Trench technology that is VDS =100V,ID =35A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=18m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=22m (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extremely

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History: 2SK3520-01MR | 2SK948

Liste

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