HMS35N10K MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: HMS35N10K
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 65 nC
Время нарастания (tr): 10 ns
Выходная емкость (Cd): 354 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO252
HMS35N10K Datasheet (PDF)
hms35n10k.pdf
HMS35N10KN-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS35N10K uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectific
hms35dn10da.pdf
HMS35DN10DAN-Channel Super Trench Power MOSFET Description General Features The HMS35DN10DA uses Super Trench technology that is VDS =100V,ID =35A uniquely optimized to provide the most efficient high RDS(ON)=18m (typical) @ VGS=10V frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=22m (typical) @ VGS=4.5V switching power losses are minimized due to an extremely
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
