HMS38N60T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMS38N60T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 322 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 38 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 13 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 97 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.099 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HMS38N60T
HMS38N60T Datasheet (PDF)
..1. Size:595K cn hmsemi
hms38n60t.pdf
hms38n60t.pdf
HMS38N60TN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 600 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 89 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 38 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applic
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: 2SK3338W
